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FQT1N60CTF-WS
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FQT1N60CTF-WS

商品目录功率MOSFET
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds600V
连续漏极电流Id200mA(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）6.2nC @ 10V
栅极电压Vgs±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）170pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)2.1W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs11.5Ω@100mA,10V
工作温度-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA


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重量：0.00KG
商品描述
商品目录功率MOSFET
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds600V
连续漏极电流Id200mA(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）6.2nC @ 10V
栅极电压Vgs±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）170pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)2.1W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs11.5Ω@100mA,10V
工作温度-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA


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