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MMBFJ176

商品目录JFET(结型场效应晶体管)
FET类型P-Channel
电压 - 击穿（V（BR）GSS）30V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）2mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）1V @ 10nA
电阻 - RDS（开）250 Ohms
功率0.225W
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳SOT-23-3


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重量：0.00KG
商品描述
商品目录JFET(结型场效应晶体管)
FET类型P-Channel
电压 - 击穿（V（BR）GSS）30V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）2mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）1V @ 10nA
电阻 - RDS（开）250 Ohms
功率0.225W
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳SOT-23-3


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