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FCP165N60E
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FCP165N60E

商品目录功率MOSFET
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds600V
连续漏极电流Id23A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）75nC @ 10V
栅极电压Vgs±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2434pF @ 380V
功率227W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs165 毫欧 @ 11.5A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳TO-220-3


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重量：0.00KG
商品描述
商品目录功率MOSFET
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds600V
连续漏极电流Id23A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）75nC @ 10V
栅极电压Vgs±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2434pF @ 380V
功率227W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs165 毫欧 @ 11.5A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳TO-220-3


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