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FGA3060ADF

商品目录功率MOSFET
IGBT 类型沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)90A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）2.3V @ 15V,30A
功率176W
开关能量960µJ(开),165µJ(关)
输入类型标准
25°C 时 Td（开/关）值12ns/42.4ns
测试条件400V,30A,6 欧姆,15V
反向恢复时间（trr）26ns
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳TO-3PN


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重量：0.00KG
商品描述
商品目录功率MOSFET
IGBT 类型沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)90A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）2.3V @ 15V,30A
功率176W
开关能量960µJ(开),165µJ(关)
输入类型标准
25°C 时 Td（开/关）值12ns/42.4ns
测试条件400V,30A,6 欧姆,15V
反向恢复时间（trr）26ns
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳TO-3PN


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