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FDD390N15ALZ

商品目录功率MOSFET
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds150V
连续漏极电流Id26A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）39nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs10V
栅极电压Vgs±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1760pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds75V
功率63W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs42 毫欧 @ 26A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63


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重量：0.00KG
商品描述
商品目录功率MOSFET
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds150V
连续漏极电流Id26A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）39nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs10V
栅极电压Vgs±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1760pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds75V
功率63W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs42 毫欧 @ 26A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63


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