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FGA15N120ANTDTU-F109

商品目录功率MOSFET
IGBT 类型NPT 和沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）30A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)45A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）2.4V @ 15V,15A
功率186W
开关能量3mJ(开),600µJ(关)
输入类型标准
25°C 时 Td（开/关）值15ns/160ns
测试条件600V,15A,10 欧姆,15V
反向恢复时间（trr）330ns
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳TO-3P


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重量：0.00KG
商品描述
商品目录功率MOSFET
IGBT 类型NPT 和沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）30A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)45A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）2.4V @ 15V,15A
功率186W
开关能量3mJ(开),600µJ(关)
输入类型标准
25°C 时 Td（开/关）值15ns/160ns
测试条件600V,15A,10 欧姆,15V
反向恢复时间（trr）330ns
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳TO-3P


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