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商品目录RF三极管
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值)70 @ 1mA,6V
产品状态在售
封装/外壳SSM
功率100mW
工作温度125°C(TJ)
晶体管类型NPN
电压-集射极击穿(最大值)30V
电流-集电极(Ic)(最大值)20mA
频率-跃迁550MHz


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商品描述
商品目录RF三极管
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值)70 @ 1mA,6V
产品状态在售
封装/外壳SSM
功率100mW
工作温度125°C(TJ)
晶体管类型NPN
电压-集射极击穿(最大值)30V
电流-集电极(Ic)(最大值)20mA
频率-跃迁550MHz



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