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PMV30UN2R
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PMV30UN2R

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

4.2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

1.2V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

32 毫欧 @ 4.2A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

900mV @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

11 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）

±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

655 pF @ 10 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

490mW（Ta），5W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-236AB

封装/外壳

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3



￥0.00
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重量：0.00KG
商品描述

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

4.2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

1.2V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

32 毫欧 @ 4.2A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

900mV @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

11 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）

±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

655 pF @ 10 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

490mW（Ta），5W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-236AB

封装/外壳

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3



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