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商品目录通用三极管
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值)300mV @ 1mA,10mA
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值)200 @ 2mA,6V
产品状态最后售卖
封装/外壳TO-236
功率150 mW
工作温度125°C(TJ)
晶体管类型NPN
电压-集射极击穿(最大值)120 V
电流-集电极(Ic)(最大值)100 mA
电流-集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
频率-跃迁100MHz


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重量:0.00KG
商品描述
商品目录通用三极管
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值)300mV @ 1mA,10mA
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值)200 @ 2mA,6V
产品状态最后售卖
封装/外壳TO-236
功率150 mW
工作温度125°C(TJ)
晶体管类型NPN
电压-集射极击穿(最大值)120 V
电流-集电极(Ic)(最大值)100 mA
电流-集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
频率-跃迁100MHz



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