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2SA1955FVBTPL3Z

商品目录通用三极管
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值)250mV @ 10mA,200mA
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值)300 @ 10mA,2V
产品状态停产
封装/外壳VESM
功率100 mW
工作温度150°C(TJ)
晶体管类型PNP
电压-集射极击穿(最大值)12 V
电流-集电极(Ic)(最大值)400 mA
电流-集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
频率-跃迁130MHz


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重量：0.00KG
商品描述
商品目录通用三极管
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值)250mV @ 10mA,200mA
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值)300 @ 10mA,2V
产品状态停产
封装/外壳VESM
功率100 mW
工作温度150°C(TJ)
晶体管类型PNP
电压-集射极击穿(最大值)12 V
电流-集电极(Ic)(最大值)400 mA
电流-集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
频率-跃迁130MHz


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