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PSMN1R0-40YSHX
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PSMN1R0-40YSHX

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

290A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

1 毫欧@ 25A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.6V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

122 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

9433 pF @ 20 V

FET 功能

肖特基二极管（体）

功率耗散（最大值）

333W（Ta）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

SOT-1023，4-LFPAK



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重量：0.00KG
商品描述

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

290A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

1 毫欧@ 25A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.6V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

122 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

9433 pF @ 20 V

FET 功能

肖特基二极管（体）

功率耗散（最大值）

333W（Ta）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

SOT-1023，4-LFPAK



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