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PMV20ENR
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PMV20ENR

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

21毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

10.8 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

435 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

510mW（Ta），6.94W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-236AB

封装/外壳

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3



￥0.00
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重量：0.00KG
商品描述

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

21毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

10.8 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

435 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

510mW（Ta），6.94W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-236AB

封装/外壳

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3



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