0755-23055590 服务热线​

   15602983287 手机/微信​

安特芯电子（深圳）有限公司   ATX Electrionics Shenzhen Co.,Ltd.

专业芯片代理 信誉保证 官方授权 原装正品 原装进口 专业团队

扫一​扫

联系客服​​

搜索
代理品牌
首页 >> Nexperia安世 >> 晶体管/晶闸管 >> PSMN6R0-30YLDX
当前位置：​
PSMN6R0-30YLDX
❤ 收藏

PSMN6R0-30YLDX

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

66A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

6 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

13.7 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

832 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

47W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

SC-100，SOT-669



￥0.00
￥0.00
￥0.00
￥0.00
重量：0.00KG
商品描述

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

66A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

6 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

13.7 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

832 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

47W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

SC-100，SOT-669



热搜关键词