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产品状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8.5 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
21.8nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1439pF @ 25V
功率 - 最大值
53W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-1205,8-LFPAK56