半导体产业网根据公开消息整理：Cree、英飞凌、意法半导体、安森美、X-fab、新微化合物半导体、东微电子等公司近期最新动态，以及行业动态如下（仅供参考）：
2026 年市场将达 11 亿美元！GaN功率芯片市场年增 70%
根据外媒 The Elec 消息，研究机构 Yole Development 近日公布了 2020-2026 年氮化镓功率芯片市场报告。报告显示全球功率氮化镓芯片市场将在未来 5 年持续增长，每年增长率达到 70%。统计数据显示，2020 年该市场为 4600 万美元，如果按照这个速度，在 2026 年将达到 11 亿美元。
美商务部计划下周举行半导体峰会，台积电、三星电子等企业受邀
知情人士说，美国商务部部长吉娜·雷蒙多（Gina Raimondo）计划于5月20日与美国汽车行业高级领导人及其他人士举行会议，其目的是建立和维持“围绕半导体和供应链问题的公开对话”，并希望将芯片的供应商和消费者聚集在一起。
知情人士透露，受邀参加这场在线峰会的重量级企业包括：台积电、英特尔（Intel）、三星电子、Google、亚马逊（Amazon）、通用汽车（General Motors）、福特汽车（Ford Motor）等。对此，白宫和商务部发言人没有立即回应置评请求。
AMD收购Xilinx生变数？英国监管机构介入调查
据华尔街日报报道，英国竞争和市场管理局(U.K. Competition and Markets Authority)周一表示，在对Advanced Micro Devices Inc.（简称AMD）预期中的收购赛灵思的交易进行正式调查之前，该机构正向有关各方征求意见。
该监管机构表示，正在考虑上述交易是否会导致“竞争大幅减弱”，并将各方提交意见的截止日期定为5月21日。“竞争和市场管理局（CMA）正在考虑，根据《2002年企业法》的合并规定，这项交易一旦生效，是否会导致相关合并情况的发生，以及因此，是否会导致这种情况的产生，从而大大削弱英国任何一个或多个市场内商品或服务的竞争，”CMA声明说。
去年10月，AMD同意以350亿美元收购竞争对手芯片制造商赛灵思，该交易于4月7日得到双方股东的批准。而受此消息影响，AMD股价跌2.2%，赛灵思股价跌2.5%。
Cree、英飞凌、意法半导体、安森美、X-fab等发布一季度“成绩单”
最近，Cree、英飞凌、意法半导体、安森美、X-fab等国外企业纷纷发布了2021年1-3月的“成绩单”，这些企业几乎都取得了“开门红”。
Cree公司2021财年第三季度（1-3月）收入为1.373亿美元(约8.83亿人民币)，与去年同期的1.139亿美元（约7.32亿人民币）相比，增长了21％。GAAP净亏损目标为6800-7300万美元（约4.37-4.69亿人民币）。
英飞凌本财年二季度（1-3月）营收为27亿欧元（约211.2亿人民币），同比增长36%。利润4.7亿欧元（约36.8亿人民币），同比增长72%，利润率为17.4％。
意法半导体实现净营收30.2亿美元（约194.2亿人民币），同比增长35.2％，所有产品部门都实现营收增长。其中，毛利率为39.0%，营业利润率为14.6%，净利润达到3.64亿美元（约23.4亿人民币）。
安森美半导体收入为14.817亿美元（约95.29亿人民币），同比增长16％；归母净利润为8990万美元（约5.78亿人民币），同比亏损1400万美元（约9003万人民币）。
X-FAB第一季度收入为1.554亿美元（约9.99亿人民币），同比增长22％。息税前利润为1700万美元（约1.1亿人民币），同比增长1850万美元（约1.9亿人民币）。EBITDA为3560万美元，比去年同期增长105％，EBITDA利润率为22.9％。同时，一季度预订金额也创纪录，达到2.109亿美元（约13.563亿人民币），比去年同期增长42％。
爱思强2021年前三个月的订单接收量同比增长81％，达到1.244亿欧元（约9.73亿人民币），而去年同期为6880万欧元（约5.38亿人民币），也超过了去年第四季度的最高订单量（9220万欧元，约7.2亿人民币）。毛利润为1730万欧元（约1.35亿人民币），比上年同期增长18％，毛利率为35％。
Transphorm第一季度收入约为240万美元（约1543万人民币），比上一季度增长约20％。
新微化合物半导体量产线洁净厂房结构封顶 三期投资拟80.5亿
5月8日上午，新微半导体化合物半导体量产线洁净厂房结构封顶仪式在闵行开发区临港园区正式开始。项目一期计划投资15亿人民币，建设一条4英寸光电芯片和一条6英寸射频芯片产线，预计将于2021年四季度建成并投入使用；第二期计划投资15.5亿人民币，建设一条8英寸硅基芯片产线以及封装中试线；第三期扩大再投资50亿人民币，进一步提高产品产能并扩大产品范围。三期总计拟定投入80.5亿人民币，大力发展化合物半导体。
东微电子上海创新研发中心项目落户金山 总投资2.5亿元
日前，金山工业区与河南东微电子材料有限公司举行签约仪式。东微电子计划在上海金山工业区投资设立东微电子上海创新研发中心，以年产20套反应腔体制造项目和年产0.2吨高纯度靶材（钌靶）项目为引领，逐步放大产品产能和研发新的半导体关键材料。研发中心和产品试验项目计划总投资2.5亿元，租赁厂房面积约 11925.66平方米，该中心研发的新项目将逐步在金山工业区落地投产，最终形成半导体产业上游材料产业集群。
