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商品目录门驱动器
驱动配置半桥
FET类型同步
驱动器数2
栅极类型IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 电源10 V ~ 20 V
逻辑电压 - VIL,VIH0.8V,2.5V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)2.5A,2.5A
输入类型非反相
高压侧电压 - 最大值(自举)600V
上升/下降时间(典型值)25ns,15ns
工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳14-SOIC


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商品描述
商品目录门驱动器
驱动配置半桥
FET类型同步
驱动器数2
栅极类型IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 电源10 V ~ 20 V
逻辑电压 - VIL,VIH0.8V,2.5V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)2.5A,2.5A
输入类型非反相
高压侧电压 - 最大值(自举)600V
上升/下降时间(典型值)25ns,15ns
工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳14-SOIC



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