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商品目录门驱动器
封装/外壳SOIC 8N
驱动配置低压侧
FET类型独立式
驱动器数2
栅极类型IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 电源6 V ~ 20 V
逻辑电压 - VIL,VIH0.8V,2.7V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)2.3A,3.3A
输入类型非反相
上升/下降时间(典型值)15ns,10ns
工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
电压-电源6 V ~ 20 V
逻辑电压 -VIL,VIH0.8V,2.7V
电流-峰值输出(灌入,拉出)2.3A,3.3A


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商品描述
商品目录门驱动器
封装/外壳SOIC 8N
驱动配置低压侧
FET类型独立式
驱动器数2
栅极类型IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 电源6 V ~ 20 V
逻辑电压 - VIL,VIH0.8V,2.7V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)2.3A,3.3A
输入类型非反相
上升/下降时间(典型值)15ns,10ns
工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
电压-电源6 V ~ 20 V
逻辑电压 -VIL,VIH0.8V,2.7V
电流-峰值输出(灌入,拉出)2.3A,3.3A



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