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IR2113STRPBF
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IR2113STRPBF

商品目录门驱动器
驱动配置半桥
FET类型独立式
驱动器数2
栅极类型IGBT,N 沟道 MOSFET
电压-电源3.3 V ~ 20 V
逻辑电压 -VIL，VIH6V,9.5V
电流-峰值输出（灌入，拉出）2A,2A
输入类型非反相
高压侧电压-最大值（自举）600V
上升/下降时间（典型值）25ns,17ns
工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳SOIC 16W


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重量：0.00KG
商品描述
商品目录门驱动器
驱动配置半桥
FET类型独立式
驱动器数2
栅极类型IGBT,N 沟道 MOSFET
电压-电源3.3 V ~ 20 V
逻辑电压 -VIL，VIH6V,9.5V
电流-峰值输出（灌入，拉出）2A,2A
输入类型非反相
高压侧电压-最大值（自举）600V
上升/下降时间（典型值）25ns,17ns
工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳SOIC 16W


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