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商品目录功率MOSFET

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

3.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

1.55 欧姆 @ 1.75A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

15 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

650 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

40W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63



￥0.00
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重量：0.00KG
商品描述
商品目录功率MOSFET

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

3.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

1.55 欧姆 @ 1.75A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

15 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

650 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

40W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63



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