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2N7002KT1G
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2N7002KT1G

商品目录小信号MOSFET
不同Id时的Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）0.7nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）24.5pF @ 20V
栅极电压Vgs±20V
Pd-功率耗散(Max)350mW(Ta)
工作温度-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳SOT-23
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）0.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）24.5pF @ 20V
Rds On(Max)@Id,Vgs1.6Ω@500mA,10V
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds60V
连续漏极电流Id320mA(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250µA


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商品描述
商品目录小信号MOSFET
不同Id时的Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）0.7nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）24.5pF @ 20V
栅极电压Vgs±20V
Pd-功率耗散(Max)350mW(Ta)
工作温度-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳SOT-23
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）0.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）24.5pF @ 20V
Rds On(Max)@Id,Vgs1.6Ω@500mA,10V
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds60V
连续漏极电流Id320mA(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250µA


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