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商品目录功率MOSFET
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds100V
连续漏极电流Id300A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）124nC @ 10V
栅极电压Vgs±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）6970pF @ 50V
功率429W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs2 毫欧 @ 80A,10V
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳8-PowerSFN


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重量：0.00KG
商品描述
商品目录功率MOSFET
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds100V
连续漏极电流Id300A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）124nC @ 10V
栅极电压Vgs±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）6970pF @ 50V
功率429W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs2 毫欧 @ 80A,10V
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳8-PowerSFN


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