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FDS4141

商品目录功率MOSFET
FET类型P-Channel
漏源极电压Vds40V
连续漏极电流Id10.8A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）49nC @ 10V
栅极电压Vgs±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2670pF @ 20V
功率5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs13 毫欧 @ 10.5A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)


￥0.00
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重量：0.00KG
商品描述
商品目录功率MOSFET
FET类型P-Channel
漏源极电压Vds40V
连续漏极电流Id10.8A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）49nC @ 10V
栅极电压Vgs±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2670pF @ 20V
功率5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs13 毫欧 @ 10.5A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)


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