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FDN358P

商品目录小信号MOSFET
FET类型P-Channel
漏源极电压Vds30V
连续漏极电流Id1.5A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）5.6nC @ 10V
栅极电压Vgs±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）182pF @ 15V
功率500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs125 毫欧 @ 1.5A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


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重量：0.00KG
商品描述
商品目录小信号MOSFET
FET类型P-Channel
漏源极电压Vds30V
连续漏极电流Id1.5A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）5.6nC @ 10V
栅极电压Vgs±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）182pF @ 15V
功率500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs125 毫欧 @ 1.5A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


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