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FDMS86500L
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FDMS86500L

商品目录功率MOSFET
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds60V
连续漏极电流Id25A(Ta),80A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）165nC @ 10V
栅极电压Vgs±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）12530pF @ 30V
功率2.5W(Ta),104W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs2.5 毫欧 @ 25A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳8-PowerTDFN
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds30V


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商品描述
商品目录功率MOSFET
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds60V
连续漏极电流Id25A(Ta),80A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）165nC @ 10V
栅极电压Vgs±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）12530pF @ 30V
功率2.5W(Ta),104W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs2.5 毫欧 @ 25A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳8-PowerTDFN
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds30V


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