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MT3S113P(TE12L,F)
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MT3S113P(TE12L,F)

商品目录RF三极管
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值)200 @ 30mA,5V
产品状态在售
封装/外壳PW-MINI
功率1.6W
工作温度150°C(TJ)
晶体管类型NPN
电压-集射极击穿(最大值)5.3V
电流-集电极(Ic)(最大值)100mA
频率-跃迁7.7GHz


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重量：0.00KG
商品描述
商品目录RF三极管
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值)200 @ 30mA,5V
产品状态在售
封装/外壳PW-MINI
功率1.6W
工作温度150°C(TJ)
晶体管类型NPN
电压-集射极击穿(最大值)5.3V
电流-集电极(Ic)(最大值)100mA
频率-跃迁7.7GHz


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