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MT3S16U(TE85L,F)

商品目录RF三极管
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值)80 @ 5mA,1V
产品状态在售
封装/外壳SC-70
功率100mW
工作温度125°C(TJ)
晶体管类型NPN
电压-集射极击穿(最大值)5V
电流-集电极(Ic)(最大值)60mA
频率-跃迁4GHz


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商品描述
商品目录RF三极管
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值)80 @ 5mA,1V
产品状态在售
封装/外壳SC-70
功率100mW
工作温度125°C(TJ)
晶体管类型NPN
电压-集射极击穿(最大值)5V
电流-集电极(Ic)(最大值)60mA
频率-跃迁4GHz



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