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PMV48XPA2R
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PMV48XPA2R

产品状态

在售

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

2.5V，8V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

49毫欧 @ 4A，8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

10 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）

±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

679 pF @ 10 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

610mW（Ta），8.3W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3



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重量：0.00KG
商品描述

产品状态

在售

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

2.5V，8V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

49毫欧 @ 4A，8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

10 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）

±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

679 pF @ 10 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

610mW（Ta），8.3W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3



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