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PSMN3R5-80YSFX
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PSMN3R5-80YSFX

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

150A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

7V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

3.5 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

108 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

7227 pF @ 40 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

294W（Ta）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

LFPAK56，Power-SO8

封装/外壳

SOT-1023，4-LFPAK



￥0.00
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重量：0.00KG
商品描述

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

150A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

7V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

3.5 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

108 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

7227 pF @ 40 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

294W（Ta）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

LFPAK56，Power-SO8

封装/外壳

SOT-1023，4-LFPAK



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