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2SA1962-O(Q)
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2SA1962-O(Q)

商品目录通用三极管
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值)3V @ 800mA,8A
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值)80 @ 1A,5V
产品状态在售
封装/外壳TO-3P(N)
功率130 W
工作温度150°C(TJ)
晶体管类型PNP
电压-集射极击穿(最大值)230 V
电流-集电极(Ic)(最大值)15 A
电流-集电极截止(最大值)5uA(ICBO)
频率-跃迁30MHz


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重量：0.00KG
商品描述
商品目录通用三极管
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值)3V @ 800mA,8A
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值)80 @ 1A,5V
产品状态在售
封装/外壳TO-3P(N)
功率130 W
工作温度150°C(TJ)
晶体管类型PNP
电压-集射极击穿(最大值)230 V
电流-集电极(Ic)(最大值)15 A
电流-集电极截止(最大值)5uA(ICBO)
频率-跃迁30MHz


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